闪存在很大程度上改变了我们处理计算机存储的方式，它使速度更快，体积更小的计算机变得更安全，因为它们不需要任何活动部件，因此可以防止数据丢失。 但是，您可能不知道闪存不止一种-尽管它们可以相似，但存在一些关键区别。
在深入研究不同类型的NAND存储之前，了解NAND或闪存实际上是什么很重要。 与其他一些存储介质不同，NAND本质上是一种非易失性存储介质，不需要电源即可保留数据。 但是，NAND可以以多种不同的形式存在。
但是有哪些不同的种类？ 为什么有些比其他更好？ 这是每种主要闪存类型及其不同之处的概述。
SLC
SLC存储（也称为单级单元存储）是最常见的闪存存储类型，也是最快的存储类型。 要了解单级单元存储，首先需要了解数据存储的工作方式。
一般而言，闪存通过处于以下两种状态之一的晶体管工作-代表1或0。当存储许多被称为位的晶体管或单元串在一起时，它们将存储数据。 这就是数据-比特串，每个比特为1或0。
由于每个单元仅存储一位，因此可以比其他类型的闪存存储更快地访问数据，但是要权衡的是SLC存储通常提供较低的数据容量。 单级单元存储也具有最高的成本。
单级单元存储通常用于高性能存储卡和其他关键任务情况。
多层板
MLC或多层单元是一种存储元件，其中每个单元中可以存储多于一位的信息。 换句话说，每个单元具有多个级别，这意味着使用相同数量的晶体管可以存储更多位。
那为什么与其他类型的存储不同呢？ 好吧，在单级单元NAND闪存技术中，晶体管可以以两种状态之一存在-等于1或0，这意味着每个晶体管代表一位。
当然，需要权衡-这就是内存速度。 MLC技术的主要优点在于，它降低了单位存储成本，从而以相同的价格带来了更高的数据密度。
eMLC
MLC存储还有第二种类型，称为eMLC或企业多层单元。 与传统的消费者级MLC闪存相比，此类存储已得到增强，写入周期更长。 消费级MLC存储通常只能提供3, 000至10, 000个写周期，而eMLC单元最多可以提供20, 000至30, 000个写周期。 eMLC通常具有较长的寿命，这是因为操作单元的控制器很先进。
薄层色谱
单层和多层单元不是唯一的闪存存储类型。 也许“多级”单元存储更好的名称是“双级单元”，因为三级单元存储实际上有其自己的名称。
顾名思义，三层单元存储每个单元存储三位信息。 这项技术最初是由三星开发的，三星实际上将其称为3位MLC。
但是，TLC存储会放大所有不利于MLC存储的内容，也就是说TLC存储的成本更低，但速度甚至更慢，可靠性也更差。
闭幕
这里有一种趋势-级别越多，成本越低-但是级别越高，存储介质就越慢且可靠性越差。 单层单元存储到目前为止是性能最好的闪存存储类型，但可能并非在所有情况下都是最好的-有时，仅需要获得性能可能稍低的更多存储即可。
